CS5266E是一款采用CMOS工艺，电容式升压型GF类单声道音频功放，可以为4Ω的负载提供最高5.2W的连续功率;CS5266E芯片内部固定的28倍增益，有效的减少了外围元器件的数量，外围全贴片阻容器件应用可以尽量减少外围占板面积，并降低手工插件带来的成本上升;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出，又可兼顾系统在有FM的情况下，消除功放对系统的干扰;CS5266E具有独特的防破音（NCN）功能，可根据输出信号的大小自动调整功放的增益，实现更加舒适的听觉感受.


CS5266E的外围可应用低成本全贴片的阻容器件，在以锂电池供电的移动式音频设备中，CS5266E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5266E的全差分架构和极高的 PSRR有效地提高了CS5266E对RF噪声的抑制能力。另外CS5266E内置了过流保护和过热保护，有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS5266E提供了ESOP10的封装类型，其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。


集成Charge Pump升压模块，集成AB类D类两种工作模式 GF类音频功放，输入电压范围∶2.7~5.5V关断电流∶<1μA待机电流∶ 20mA@5V， D类调制频率∶ 350KHz，防破音模式开关，AERC专利技术，提供优异的全带宽EMI抑制能力，优异的"噼噗-咔嗒"（pop-noise）杂音抑制能力，高的电源抑制比（PSRR）∶在217Hz下为-80dB，过温保护，过压保护。