例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

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MOS管

MOS产品

马达驱动芯片

马达驱动
Part NO.
封装
工作电压
简介
适用场景
ESOP10
4.5V-18V
CS8631E输出功率:

PO at 10% THD+N,VDD=7.4V@RL=2Ω 12.5W
PO at 10% THD+N,VDD=9.0V@RL=2Ω 18W
PO at 10% THD+N,VDD=12V@RL=3Ω 23.5W
PO at 10% THD+N,VDD=12V@RL=4Ω 20W
PO at 10% THD+N,VDD=15V@RL=4Ω 30W
PO at 10% THD+N,VDD=16V@RL=4Ω 32W
MSOP8
2.5V-6.0V(单节锂电池供电)
3.0W 单声道,差分输入,超低EMI
Po=2.9W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
Po=1.66W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
Po=1.25W@1%THD VDD=3.6V,RL=4Ω
Po=0.7W@1%THD VDD=3.6V,RL=8Ω
DFN3*3
2.5V-5.5V(单节锂电池供电)
3.0W 单声道,差分输入
Po=3.1W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
Po=1.8W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
SOP8,其他客户要求封装形式
2.5V-5.5V(单节锂电池供电)
3.0W单声道,差分输入
Po=3.05W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
Po=1.66W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
SOP8
2.5V-5.5V(单节锂电池供电)
5.0W,单声道,单端输入,防破音
Po=5W@10% THD VDD=5V,RL=2Ω
Po=3.1W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
ESOP8L其他客户要求的封装形式
2.5V-6V(单节锂电池供电)
5.0W单声道,差分输入
Po=5.34W@10%THD VDD=5.5V,RL=2Ω
Po=3.04W@10%THD VDD=5V,RL=4Ω
SOP8L
2.5V-7.0V
Po=4.2W@10%THD VDD=6.5V,RL=4Ω
Po=1.7W@10%THD VDD=5V,RL=8Ω
Po=1W@0.1%THD VDD=5V,RL=8Ω
ESOP16
5.7V-18V(DC适配器)
30W单声道,差分输入,四级增益可调单面PCB输出功率
Po=12.5W@10%THD VDD=7.4V,RL=2Ω
Po=18W@10%THD VDD=9.0V,RL=2Ω
Po=23.5W@10%THD VDD=12.0V,RL=3Ω
Po=35W@10%THD VDD=15V,RL=3Ω
Po=20W@10%THD VDD=12.0V,RL=4Ω
Po=30W@10%THD VDD=15V,RL=4Ω
双面PCB输出功率
Po=20W@10%THD VDD=12.0V,RL=4Ω
Po=32W@10%THD VDD=16.0V,RL=4Ω
ESOP16
8-23V
免滤波,50W单声道D类功音频放大器
Po=42.5W@10%THD VDD=18V,RL=4Ω
Po=47W@10%THD VDD=19V,RL=4Ω
Po=46W@10%THD VDD=22V,RL=6Ω
Po=50W@10%THD VDD=23V,RL=6Ω
Po=36W@10%THD VDD=22V,RL=8Ω
Po=40W@10%THD VDD=23V,RL=8Ω
ESOP16
6.5V-18.5(DC适配器)
25W单声道,差分输入,四级增益可调
Po=19W@10%THD VDD=12V,RL=4Ω
Po=24W@10%THD VDD=14V,RL=4Ω
ESOP8
3V~5.5V
内置高效自适应升压的高信噪比,低底噪,具有 ALC(防破音)功能的AB/D 类双模立体声音频功放。在锂电池 3.7VANT8917 内置过流保护、过热保护功能,确保芯片在各种应用环境中的可靠性,稳定性。
EQB32
5V~26V
CS8683H是一款130W单声道D类音频放大器,这款器件在顶层设计了散热焊盘,在焊盘上连接散热器后可以达到130W以上的功率输出,在适应的电源电压下可以驱动低至2Ω的负载;CS8683G具备先进的EMI抑制技术,它采用表面贴装技术只需少量的外围器件,便使系统具备高质量的音频输出功率。CS8683H内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏

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