例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626
CS5230EA

Part NO:CS5230EA

封装:ESOP10

工作电压:2.7~5.5V

简介:CS5230EA是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类诞生的音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5W的连续功率,CS5230EA内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式,即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在FM的情况下,消除功放对系统的干扰;CS5230EA具有独特的防破音(NCN)功能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受
  • CS5230EA,内置电容升压模块,固定28倍增益,AB/D切换,防破音,5.2W单声道GF类音频功放IC

    概要

         CS5230EA是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类诞生的音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5W的连续功率,CS5230EA内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式,即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在FM的情况下,消除功放对系统的干扰;CS5230EA具有独特的防破音(NCN)功能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受。

          CS5230EA的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5230EA是理想的音频子系统的功放解决方案。CS5230EA的全差分架构和极高的PSRR有效的提高了CS5230EA对RF噪声的抑制能力。另外CS5230EA内置了过流保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被破坏。

          CS5230EA提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

    特征

          集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式

    GF类音频功放

           输出功率

                Po at VABT= 5.0V,RL =  4Ω+33uH

                      THD+N=10%     5.2W(NCN OFF@D MODE)

                       THD+N=1%        4.3W(NCN OFF@D MODE)

                Po at VABT= 4.2V,RL =  4Ω+33uH


                      THD+N=10%     4.8W(NCN OFF@D MODE)

                       THD+N=1%        4.1W(NCN OFF@D MODE)


                Po at VABT= 3.6V,RL =  4Ω+33uH


                      THD+N=10%     3.45W(NCN OFF@D MODE)

                       THD+N=1%        3.0W(NCN OFF@D MODE)

         输入电压范围:2.7~5.5V

         关断电流:<1uA

          待机电流:15mA


          D类调制频率:300KHz

          防破音模式开关

          AERC专利技术,提供有益的全带宽EMI抑制能力

          有益的“噼噗-咔嗒”(pop-noise)杂音 抑制能力

          高的电源抑制比(PSRR):在217Hz下为-80dB

           过温保护     过压保护

    应用

         蓝牙音箱

         便携式音频设备

    封装

        ESOP10 



    更多资料请与我们联系!


  • 友情链接:

    关于我们产品展示方案技术新闻资讯

    深圳市龙华区民治街道民乐路粤通综合楼D栋511室

    联系人:刘先生13794497935      Email:ben@sandtech.cn

    微信公众号

    Copyright copy; 2018 上大科技, All Rights Reserved
    粤ICP备18073833号-1 版权所有:上大科技   网站建设:深圳北易
    上大科技 销售总监
    上大科技 销售经理
    上大科技 销售经理
    上大科技 电话
    上大科技 微信
    上大科技
    返回顶部