例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

CS5250(集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放)

作者:上大科技发布日期:2021-05-24 04:04:36浏览人数:690

CS5250,内置Charge Pump模块,固定28倍增益,AB/D切换,三种防破音模式可选,5.3W单声道GF类音频功率放大器

概要

       CS5250E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5.3W的连续功率;

       CS5250E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件 的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰;CS5250E具有独特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受. 

       CS5250E的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5250E是理想的音频子系统的功放解决方案.

       CS5250E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS5250E对RF噪声的抑制能力。

       另外CS5250E内置了过流保护和过热保护,有效的保护芯片在 异常的工作条件下不被损坏。

       CS5250E提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

特征

     集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放,

输出功率

Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω,Cout=470uF

THD+N=10%   5.3W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  4.3W(NCN OFF@D MODE)

Po at  VBAT = 3.4V,  RL=4Ω+33uH,Cout=470uF

THD+N=10%   3.4W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  3.0W(NCN OFF@D MODE)

Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω,Cout=100uF

THD+N=10%   4.9W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  3.9W(NCN OFF@D MODE)

Po at  VBAT = 3.6V,  RL=4Ω+33uH,Cout=100uF

THD+N=10%   3.1W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  2.7W(NCN OFF@D MODE)

输入电压范围:2.7~5.5V

关断电流: <1μA

待机电流: 20mA@5V

D类调制频率: 350KHz

防破音模式开关

AERC专利技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力

优异的`噼噗-咔嗒`(pop-noise)杂音抑制能力

高的电源抑制比(PSRR):在217Hz下为-80dB

过温保护

过压保护

应用

蓝牙音箱、便携式音频设备

管脚排列以及定义

典型应用电路图

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